'- Chip Samsung V-NAND 3bit MLC.
- Chuẩn giao tiếp PCIe Gen 3.0x4, NVMe 1.3
- DRAM cache memory :
+ 512MB LPDDR4 cho 250GB & 500GB
+ 1GB LPDDR4 cho 1TB
+ 2GB LPDDR4 cho 2TB
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).
+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).
- Tốc độ đọc: 3500 MB/s.
- Tốc độ ghi: 2300 MB/s (250GB), 3200MB/s (500GB), 3300MB/s (1TB)

- Dung lượng: 2TB
- Tốc độ đọc: 3500 MB/s
- Tốc độ ghi: 2500 MB/s
- Chip Samsung V-NAND 3bit MLC.
- Chuẩn giao tiếp PCIe Gen 3.0x4, NVMe 1.3
- DRAM cache memory : 512MB LPDDR4
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).
+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).

- Dung lượng: 512GB
- Tốc độ đọc: 3500 MB/s
- Tốc độ ghi: 2300 MB/s
- Chip Samsung V-NAND 2bit MLC.
- Chuẩn giao tiếp PCIe Gen 3.0x4, NVMe 1.3
- DRAM cache memory :
+ 512MB LPDDR4
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).
+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).

- Dung lượng: 1TB
- Tốc độ đọc: 3500 MB/s
- Tốc độ ghi: 2700 MB/s
- Chip Samsung V-NAND 2bit MLC.
- Chuẩn giao tiếp PCIe Gen 3.0x4, NVMe 1.3
- DRAM cache memory :
+ 1GB LPDDR4
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).
+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).

- USB 3.2 Gen 2 10Gbps type C
- Tốc độ đọc / ghi tuần tự 1.050 / 1.000 MB/s
- Chống bụi chống nước IP65
- Vỏ cao su chống sốc, chịu rơi vỡ tối đa lên đến 3 mét
- Tương thích với PC, Mac, Andoid, Ipad, Iphone 15 trở lên