Trang chủ»Tin tức » Tin công nghệ

Chip nhớ V-NAND thế hệ 9 và 10 của Samsung chuẩn bị ra mắt, mỗi chip có 430 lớp lưu trữ dữ liệu

Samsung đã công bố những thông tin đầu tiên về hai thế hệ chip nhớ NAND tiêu dùng và doanh nghiệp thứ 9 và thứ 10, những sản phẩm mà họ chuẩn bị cho ra mắt thị trường trong thời gian ngắn tới đây. Hai thế hệ chip nhớ phục vụ lưu trữ dữ liệu này lần lượt được Samsung xếp 290 và 430 lớp NAND cell trong từng chip flash, tạo ra tiêu chuẩn mới cho thị trường bộ nhớ thể rắn.

Ở thời điểm hiện tại, thị trường chip nhớ lưu trữ cho doanh nghiệp và người tiêu dùng đã có dấu hiệu phục hồi khá nhanh. Trước đó, kết hợp cả nguồn cung quá dồi dào với nhu cầu thị trường ảm đạm hậu đại dịch COVID-19, khi nhu cầu thiết bị công nghệ giảm mạnh trong từ thời điểm năm 2021 đến nửa đầu năm 2023, thị trường chip NAND cũng bị ảnh hưởng nghiêm trọng. Sau đó, những nhà sản xuất chip nhớ như Kioxia, Samsung và SK Hynix cũng đã phải kiểm soát nguồn cung để giữ giá. Hiện giờ SSD đã và đang có xu hướng tăng giá tương đối mạnh, xét riêng tới thị trường máy tính cá nhân và linh kiện PC.

Thế hệ chip nhớ flash thứ 8 của Samsung hiện tại đang được hãng xếp 236 lớp cell NAND trên một con chip, và trong tương lai gần, trước khi có được những công nghệ bán dẫn mới để tăng mật độ lưu trữ dữ liệu trên những chip nhớ trang bị trong những SSD, thì các hãng lớn sẽ có một cuộc chạy đua chủ chốt, là làm cách nào xếp càng nhiều lớp NAND cell bên trong một chip nhớ càng tốt.

Những chip nhớ 9th Gen V-NAND của Samsung sẽ ra mắt thị trường ngay trong năm 2024 này. Rồi đến năm 2025 tới, thế hệ chip nhớ 10th Gen V-NAND với 430 lớp NAND cell trong một con chip cũng sẽ có sản phẩm thương mại bán ra thị trường.

Để làm được điều này, Samsung ứng dụng một kỹ thuật gọi là “double stacking”, tối ưu điện năng để kết nối thêm nhiều cell NAND lưu trữ dữ liệu lại với nhau. Hai lợi thế lớn nhất của double stacking là tăng hiệu năng tiêu thụ điện và hiệu năng kết nối dữ liệu của cầu interconnect, và kế đến là chi phí rẻ hơn so với những giải pháp xếp chồng cell NAND trong một con chip nhớ truyền thống.

Một lý do khiến cuộc chạy đua tăng dung lượng và mật độ lưu trữ của chip nhớ hiện tại có lẽ đến từ chính cuộc chạy đua phát triển chip xử lý AI, cần cả băng thông bộ nhớ lẫn dung lượng bộ nhớ lên tới hàng trăm GB chỉ phục vụ cho một con chip xử lý machine learning duy nhất.

Thẻ Nhớ - USB chính hãng - Ổ Cứng Di Động - Ổ Cứng Mạng - Thẻ nhớ MacBook - WD My Passport - Ổ Cứng Di Động Wifi - Ổ Cứng Cắm Ngoài - Ổ cứng NAS - WD MyBook - WD MyCloud - Box Ổ Cứng - HDD LaCie - Ổ Cứng Di Động Transcend - backup 4t 2.5 - SSD Kingston - phiên bản mobile
tructuyen

Hotline: 0243.7473614

Bán hàng trực tuyến
Hỗ trợ kỹ thuật và bảo hành